净化车间的具体工艺对温度的要求越来越高，由于加工精度越来越高，对温度波动范围的要求越来越小；湿度值一般较低，因为出汗后会对产品造成污染，尤其是半导体车间怕钠，这种车间不应超过25度。
湿度过大会造成更多问题。当相对湿度大于55%时，冷却管壁会凝结，如果发生在精密器件或电路中，会引起各种事故。相对湿度为50%时，很容易生锈。此外，当湿度过高时，空气中的水分子很难清除附着在硅片表面的灰尘。相对湿度越高，去除粘附的难度越大，但当相对湿度小于30%时，由于静电的作用，颗粒也很容易吸附在表面，大量的半导体器件容易发生击穿。ZUI用于硅片生产的最佳温度范围为35≤45%。
换气次数是指流入房间的洁净风量等于房间容积的倍数，其单位为二次/小时。如果一个小时内通过的风量与房间的容积相同，通风量为一次/小时，等等，通风量是确定湍流洁净室清洁度水平的主要参数。
交换气体的次数越多，清洁程度就越高。
空气交换的次数可以根据要求的空气清洁度、室内数量、房间面积、其他室内灰尘和新鲜空气比率来计算，特别是在动态情况下，更有必要计算具体情况。
净化车间压差控制的基本原理是控制送风、回风和排风，当送进净化车间的风量适当大于回风量和排气量时，房间内可保持一定的正压值，此时在室内外静压差的作用下，泄漏风量与机箱结构内外机械风量之差等于机械进、出风量之差。
压差维护的问题是机械送风量和输出风量是动态的。对于洁净空调系统，滤尘积聚会导致新风、送风管线阻力增大，从而影响风量，排气设备也会导致排气量的变化；此外，在走廊附近，室外热压和风压变化也会影响房间压差。因此，需要定期检查洁净室的压差，并相应调整新送、送、回、排气通道的气门。
